Рис. 1 цоколевка igbt транзисторов RJP4301APP-M0 и CT40KM-8H
Наиболее популярными ключевыми элементами в электронных схемах до середины 80х годов, являлись полевые MOSFET транзисторы. Полевым транзисторам по сравнению с биполярными, требуется меньший ток управления, в то время как преимущество биполярного транзитора это большие напряжения и токи коммутирования.
Идея объединить два преимущества в один корпус была реализована в 90е годы. Новый тип прибора получил название IGBT от английского Insulated-gate bipolar transistor или БТИЗ - биполярный транзистор с изолированным затвором, схематически, электронный компонент представляет собой высоковольтный биполярный транзистор (большие коммутируемые токи и напряжения), управляемый от сравнительно низковольтного МОП транзистора (малый ток управления).
Широкое применение igbt транзисторы нашли в схемах управления импульсной лампы во внешних вспышках для зеркальных фотоаппаратов. В данном материале статьи мы рассмотрим транзисторы RJP4301 и CT40KM которые используются в большинстве моделях накамерных вспышек Canon, Nikon, Sony, Pentax Nissin Yongnuo и др.
Сравнение максимально допустимых параметров igbt транзисторов RJP4301APP-M0 и CT40KM-8H
Parameter | Symbol | Ratings | Unit | |
RJP4301APP-M0 | CT40KM-8H | |||
Collector-emitter voltage | VCES | 430 | 400 | V |
Gate-emitter voltage | VGES | +33 | 30 | V |
Collector current (Pulse) | ICM | 200 | 200 | A |
Maximum power dissipation | PC | 30 | 45 | W |
Junction temperature | Tj | –40 to +150 | –40 to +150 | °C |
Storage temperature | Tstg | –40 to +150 | –40 to +150 | °C |
Типовая схема включения igbt транзисторов RJP4301APP-M0 и CT40KM-8H
Номинальное значение | Максимальное значение | |||
RJP4301APP-M0 | CT40KM-8H | RJP4301APP-M0 | RJP4301APP-M0 | |
VCM | 300 V | 330 V | 350 V | 350 V |
ICP | 180 A | 180 A | 200 A | 200 A |
CM | 1200 µF | 1200 µF | 1500 µF | 1500 µF |
VGE | 28 V | 28 V | 26 V | - |
Купить IGBT (транзисторы вспышки) и другие запчасти для фотовспышек можно в интернет-магазине AS in-commerce.